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IRFR120NTRPBF中文资料

IRFR120NTRPBF图片

IRFR120NTRPBF外观图

  • 大小:386.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:210 毫欧 @ 5.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:330pF @ 25V
  • 功率 - 最大:48W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:D-Pak
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRFR120NPBFTRIRFR120NTRPBF-NDIRFR120NTRPBFTR-ND

IRFR120NTRPBF供应商

更新时间:2022-12-31 05:55:25
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